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Ces mémoires UFS 4.1 à 4,3 Go/s de SK Hynix vont ridiculiser Samsung – vous n’en reviendrez pas !

Une densité record de 321 couches

SK Hynix révolutionne la mémoire flash mobile avec sa toute nouvelle UFS 4.1, basée sur une NAND 4D TLC (triple-level cell) à 321 couches – un record mondial. Plus de couches signifie une capacité accrue dans un volume réduit, mais aussi une complexité de fabrication qui repousse les limites de la miniaturisation. Ce procédé avancé permet de stocker jusqu’à 1 To sur un espace mémoire équivalent à la taille d’un timbre-poste.

Vitesse de lecture séquentielle inégalée

Ces chiffres placent l’UFS 4.1 légèrement devant la solution phare de Samsung, offrant une réactivité accrue dès que l’on fait défiler une galerie photo ou qu’on lance un jeu gourmand.

Des gains massifs en lectures/écritures aléatoires

Au-delà des débits, la 4.1 brille sur les opérations aléatoires :

Ces améliorations sont essentielles pour des usages comme la création de contenu en direct, l’édition photo/vidéo et le multitâche poussé (chat, streaming, navigation). L’OS charge plus rapidement ses composants, les apps redémarrent sans bug, et les assistants AI embarqués – traduction, reconnaissance vocale, retouches photo – gagnent en réactivité.

Efficacité énergétique et format ultra-compact

SK Hynix n’oublie pas l’autonomie :

En milieu urbain, l’optimisation énergétique se traduit par plusieurs heures d’autonomie gagnées, même avec des sessions vidéo ou gaming intensives. Le design slim, rendu possible par ce compactage, laisse plus de place pour une diagonale d’écran plus grande ou une batterie plus généreuse.

Deux capacités pour chaque profil d’utilisateur

Cette flexibilité permet aux OEM d’ajuster les gammes tarifaires et de répondre à différents besoins, des smartphones « grand public » aux flagships « pro » qui rivalisent avec les PC ultraportables.

Calendrier de déploiement et perspectives

SK Hynix vise une qualification complète par les fabricants de smartphones d’ici fin 2025, avec des expéditions massives attendues au premier trimestre 2026. Parallèlement, l’entreprise travaille à l’extension de la NAND 4D à 321 couches aux SSD destinés aux PC et aux data centers, ouvrant la voie à des performances de stockage inédites sur ces marchés.

Un défi direct à Samsung et aux leaders du secteur

Samsung, pionnier des V-NAND à 176 couches, voit désormais SK Hynix damer le pion sur la seule métrique de vitesse séquentielle. Mais c’est la combinaison densité – performances – efficacité énergétique qui fait la différence. « Nous sommes en bonne voie pour devenir le fournisseur numéro un de mémoires AI NAND », déclare Ahn Hyun, Président et Chief Development Officer de SK Hynix. Cette stratégie souligne l’importance grandissante du stockage local pour l’IA embarquée et le edge computing.

Impacts concrets pour les smartphones de demain

Avec l’essor de fonctionnalités comme la génération d’images par IA, la reconnaissance biométrique avancée et la réalité augmentée, les modules UFS 4.1 seront les alliés indispensables des futurs smartphones. Ils contribueront à :

L’équilibre entre puissance et autonomie conditionnera la montée en puissance des innovations mobiles, et SK Hynix se place au cœur de cette transformation.

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